Poland - Warsaw: Transistors

Release

ID (OCID): ocds-pyfy63:2023-499653
Releases: 2023-08-16 (ocds-pyfy63:2023-499653:2023-499653)
2023-09-07 (ocds-pyfy63:2023-499653:2023-539124)
2023-10-17 (ocds-pyfy63:2023-499653:2023-627519)

ID: ocds-pyfy63:2023-499653:obj:0
Classification: CPV / 31712350
Description: Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry:- tranzystory (40 sztuk):• typu Trench MOSFET• rozmiar 3 mm x 3 mm• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane- tranzystory (80 sztuk):• typu Trench MOSFET• rozmiar 3 mm x 3 mm• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 1200 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane