Poland - Warsaw: Transistors

Release

ID
ocds-pyfy63:2023-499653:2023-499653
Date
2023-08-16
Language
PL
Tags
tender

Release in JSON

Process

ID (OCID)
ocds-pyfy63:2023-499653

Releases in JSON

Tender

Title
Poland - Warsaw: Transistors
Award criteria
ratedCriteria
Award criteria details
The most economic tender

Award criteria for item 1:
- Price (60%)
- Quality: Doświadczenie personelu (40%)
Award period
2023-09-11 - ?
Eligibility criteria
Suitability:

Zamawiający nie określa szczegółowych warunków udziału w tym zakresie.1. O udzielenie przedmiotowego zamówienia mogą ubiegać się Wykonawcy, wobec których brak jest podstaw do wykluczenia z postępowania na podstawie art.108 ustawy Pzp. art. 5 k rozporządzenia Rady (UE) 833/2014 w brzmieniu nadanym rozporządzeniem 2022/576, art. 7 ust.1 ustawy z dnia 13 kwietnia 2022 r. o szczególnych rozwiązaniach w zakresie przeciwdziałania wspieraniu agresji na Ukrainę oraz służących ochronie bezpieczeństwa narodowego;2. W celu wstępnego wykazania, że brak jest podstaw do wykluczenia z postępowania każdy z Wykonawców zobowiązany jest złożyć Jednolity Europejski Dokument Zamówienia ( JEDZ) którego wzór stanowi załącznik nr 2 do SWZ.3. W przypadku wspólnego ubiegania się o zamówienie przez Wykonawców JEDZ, składa każdy z Wykonawców wspólnie ubiegających się o zamówienie. JEDZ ma potwierdzić przez każdego z Wykonawców wspólnie ubiegających się spełnienie warunków udziału w postępowaniu oraz brak podstaw wykluczenia w zakresie, w którym każdy z Wykonawców wykazuje spełnienie warunków udziału w postępowaniu,4. W przypadku podmiotów na zasoby których powołuje się Zamawiający przedmiotowe środki dowodowe składa każdy z tych podmiotów osobno.

Economic/financial eligibility:

Zamawiający nie określa szczegółowych warunków udziału w tym zakresie.

Technical/professional eligibility:

1. Wykonawca spełni warunek jeżeli wykaże, że dysponuje/będzie dysponował co najmniej jedną osobą, która w ciągu ostatnich 8 lat, a jeżeli okres prowadzenia działalności jest krótszy – w tym okresie, przed upływem terminu składania ofert opublikowała/jest współautorem co najmniej 10 artykułów/wyników badań na temat tranzystorów na bazie GaN oraz ich charakterystyki przełączania w czasopismach z listy Journal CItation Reports. W przypadku wskazania więcej niż jednej osoby na potwierdzenie spełniania warunku udziału w postępowaniu wymóg wykazania się 10 publikacjami dotyczy co najmniej jednej osoby2. Wykonawca spełni warunek jeśli wykaże że dysponuje/będzie dysponował dedykowanym reaktorem MOVPE do krystalizacji GaN
Main procurement category
goods
Procurement method
open
Procurement method details
Open procedure

Accelerated procedure:

Zamawiający na podstawie z art. 138 ust. 4 Ustawy, skraca termin składania ofert do 30 dni od dnia przekazania ogłoszenia o zamówieniu Urzędowi Publikacji Unii Europejskiej, gdyż składanie ofert odbywa się w całości przy użyciu środków komunikacji elektronicznej, w sposób określony w art. 63 ust. 1 Pzp.
Tender period
2023-08-16 - 2023-09-11

Tender item

ID
ocds-pyfy63:2023-499653:obj:1
Classification
CPV / 31712350
Description
Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry:- tranzystory (40 sztuk):• typu Trench MOSFET• rozmiar 3 mm x 3 mm• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane- tranzystory (80 sztuk):• typu Trench MOSFET• rozmiar 3 mm x 3 mm• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 1200 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane

Parties

Roles
buyer
Organization name
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Street address
ul. Sokołowska 29/37
Locality
Warszawa
Postal code
01-142
Country
PL
Contact name
Dariusz Nicia
E-mail
dnicia@unipress.waw.pl
Phone
+48 226323628
Website
Link

Organization data Organization in JSON